第194章 高压碳化硅（SIC）研发成功(2/3)

时间就浪费了。

能做到次次成功，除了整个团队联合三电部门日夜死磕出来的严密逻辑，剩下的，吴汉明只能归结于天宇集团头顶上那仿佛被老天爷眷顾的强盛运气。

不过，吴汉明没心思去跟外面的同行扯皮，他现在所有的注意力，全在办公桌上这枚刚刚通过验证的碳化硅芯片上。

按照如今的半导体技术背景，车规级功率半导体的制程工艺并不像手机CPU那样疯狂追求7纳米或者10纳米的极限微缩。

这枚支持400V高压平台的碳化硅MOSFET芯片，采用的是成熟且务实的0.35微米（350纳米）高压特殊制程工艺。

对于汽车功率器件来说，耐高压、耐大电流以及极端的稳定性，远比集成度更重要。

芯片采用的是标准的6英寸碳化硅晶圆生产线。

现阶段，国内虽然有少数研究所能做出碳化硅的样品，但在车规级大规模量产的供应链上，国内的底子依然薄弱。

为了保证无界S7上市后的产能与良品率，林世杰和吴汉明在流程上走了一套极其严密的合资代工模式。

天芯半导体作为核心设计方，将这套基于0.35微米制程的碳化硅芯片图纸，交由香港的一家海外壳公司进行中转持股，最终交给了位于上海的一家拥有国际顶尖车规级代工经验的合资晶圆厂进行一期试产。

这种操作既避开了不必要的锋芒，又最大程度利用了现有的国际供应链，把生产流程卡在了最稳妥的节点上。

在生产线上，传统的硅基芯片只需要在1000摄氏度左右进行掺杂，而这枚碳化硅芯片，则需要在1700摄氏度以上的高温下，注入高能量的氮离子或磷离子，并且后续要通过极其苛刻的高温退火工艺来修复晶格损伤。

整个生产过程的控制难度，堪称在微米级的高温地狱里雕刻。

但结果是惊人的。

这枚芯片在400V电压平台工作时，其导通电阻比传统的硅基IGBT降低了整整70%，开关损耗降低了近80%。

这意味着，无界S7的电驱系统将在相同电量下，平白无故多出几十公里的续航，并且热量产生极低。

确认完所有核心参数后，吴汉明再也抑制不住内心的激动，他猛地抓起桌上的保密电话，直接拨通了董事长办公室的内线。

电话只响了一声就被接通了，那头传来了许晨沉稳的声音：“吴总，看样子是有结果了？”

“许总！成了！彻底